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2N3055H中文资料

2N3055H图片

2N3055H外观图

  • 大小:35.86KB
  • 厂家:ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述:isc Silicon NPN Power Transistor
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):15A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 3.3A,10A
  • 电流 - 集电极截止(最大):700µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 4A,4V
  • 功率 - 最大:115W
  • 频率 - 转换:2.5MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AA,TO-3
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘

2N3055H供应商

更新时间:2023-01-28 15:41:16
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